[发明专利]一种LDMOS栅极的制作方法及产品无效
| 申请号： | 201210265532.9 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN103578997A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管栅极的制作方法及产品，包括：采用叉指形平面结构制作LDMOS的漏区、源区和多晶硅栅；在每两个相邻的漏区之间的源区中，制作若干个新增场区；在上述新增场区中制作多晶硅层凸起，使上述多晶硅层凸起穿过源区与多晶硅栅相连，并在多晶硅栅上间隔设定距离制作多个多晶硅层凸起，其中，各个多晶硅层凸起均贯穿与多晶硅栅相邻的源区且延伸至源区外的场区；在各个多晶硅层凸起上制作接触孔；制作金属线，利用金属线将所有的多晶硅层凸起上的接触孔串联起来，用以解决现有技术中存在栅极电阻大，LDMOS开关速度慢的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 栅极 制作方法 产品 | ||
【主权项】：
一种LDMOS横向双扩散金属氧化物半导体场效应管栅极的制作方法，其特征在于，包括：采用叉指形平面结构制作LDMOS的漏区、源区和多晶硅栅；在每两个相邻的漏区之间的源区中，制作若干个新增场区；在所述新增场区中制作多晶硅层凸起，使所述多晶硅层凸起穿过源区与多晶硅栅相连，并在多晶硅栅上间隔设定距离制作多个多晶硅层凸起，其中，各个多晶硅层凸起均贯穿与多晶硅栅相邻的源区、且延伸至源区外的场区；在各个多晶硅层凸起上制作接触孔；制作金属线，利用金属线将所有的多晶硅层凸起上的接触孔串联起来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
