[发明专利]具有提高的鲁棒性的垂直晶体管

摘要

本发明公开了一种具有提高的鲁棒性的垂直晶体管。该晶体管包括具有第一水平表面的半导体本体。漂移区被设置在半导体本体中。多个栅极被设置在半导体本体的沟道中。沟道具有纵向方向并相对于彼此平行延伸。沟道的纵向方向在半导体本体的第一横向方向上延伸。体区和源区被设置在沟道之间。体区被设置在半导体本体的竖直方向上的漂移区和源区之间。在第一水平表面中，源区和体区在第一横向方向上被交替设置。源电极在第一水平表面中电连接到源区和体区。

主权项

一种晶体管，包括：半导体本体，具有第一水平表面；漂移区，被设置在所述半导体本体中；多个栅电极，被设置在所述半导体本体的沟道中，所述沟道具有纵向方向并且相对于彼此平行延伸，所述沟道的所述纵向方向在所述半导体本体的第一横向方向上延伸；体区，被设置在所述沟道之间；以及源区，被设置在所述沟道之间，其中，所述体区在所述半导体本体的竖直方向上被设置在所述漂移区和所述源区之间，其中，在所述第一水平表面中，所述源区和所述体区在所述第一横向方向上被交替设置，以及其中，源电极被电连接到所述第一水平表面中的所述源区和所述体区。