[发明专利]一种半导体器件热载流子寿命的测量方法有效
| 申请号： | 201210262027.9 | 申请日： | 2012-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN103576066A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件热载流子寿命的测量方法，所述方法包括：1）测量所述器件栅极上的电阻，所述测量方法为：1-1）分别电连接所述器件栅极的两端，测量所述栅极的电阻，或者，1-2）在所述半导体器件上栅极两侧设置两个虚拟栅极，所述两个虚拟栅极的一端相连接，电连接所述两个虚拟栅极的另一端来测试所述两个虚拟栅极的电阻；2）根据步骤1）中所述测得的电阻，结合栅极电阻和温度之间的线性关系，得到所述栅极的温度，通过测量所述栅极的温度来监控所述器件的实际温度。本发明中通过在待测器件栅极两端或者通过在栅极两侧设置虚拟栅极来测量栅极上的热阻，得到待测器件的实际温度，在实际温度下预测所述热载流子的寿命，结果更加准确。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 载流子 寿命 测量方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件热载流子寿命的测量方法，所述方法包括：1）测量所述器件栅极上的电阻，所述测量方法为：1‑1）分别电连接所述器件栅极的两端，测量所述栅极的电阻，或者，1‑2）在所述半导体器件上栅极两侧设置两个虚拟栅极，所述两个虚拟栅极的一端相连接，电连接所述两个虚拟栅极的另一端来测试所述两个虚拟栅极的电阻；2）根据步骤1）中所述测得的电阻，结合栅极电阻和温度之间的线性关系，得到所述栅极的温度，通过测量所述栅极的温度来监控所述器件的实际温度。
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