[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210256297.9 | 申请日： | 2012-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN102779843A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管及其形成方法，其中，所述晶体管包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽由第一子沟槽、以及位于所述第一子沟槽下方的第二子沟槽构成，所述第二子沟槽与所述第一子沟槽贯通，所述第一子沟槽的开口大于所述第二子沟槽的开口，所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底的表面倾斜，所述第二子沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直；位于所述沟槽侧壁和底部表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面，填充满所述沟槽的栅电极层，所述栅电极层的表面与半导体衬底表面齐平；位于所述沟槽两侧的半导体衬底内的源区；位于与所述沟槽相对一侧的半导体衬底内与所述第二子沟槽相对设置的漏区。所述晶体管的阈值电压稳定，性能良好。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的沟槽，所述沟槽由第一子沟槽、以及位于所述第一子沟槽下方的第二子沟槽构成，所述第二子沟槽与所述第一子沟槽贯通，所述第一子沟槽的开口大于所述第二子沟槽的开口，所述第一子沟槽的侧壁与半导体衬底的表面倾斜，所述第二子沟槽的侧壁与半导体衬底表面垂直；位于所述沟槽侧壁和底部表面的栅介质层；位于所述栅介质层表面，填充满所述沟槽的栅电极层，所述栅电极层的表面与半导体衬底表面齐平；位于所述沟槽两侧的半导体衬底内的源区；位于与所述沟槽相对一侧的半导体衬底内的漏区，所述漏区与所述第二子沟槽相对设置的漏区。
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