[发明专利]晶体管元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210252275.5 | 申请日： | 2012-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN103456787A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 廖伟明;吴铁将 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管元件及其制造方法，该元件包括至少一垂直式晶体管结构。此垂直式晶体管结构包括基底、介电层、栅极、第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区以及第四掺杂区。介电层配置在基底的沟渠中。栅极配置在介电层中，且栅极在其两侧的基底中定义出第一通道区与第二通道区。第一掺杂区与第三掺杂区配置在基底中，且分别位于第一通道区与第二通道区下方。第二掺杂区与第四掺杂区配置在基底中，且分别位于第一通道区与第二通道区上方。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管元件，其特征在于，包括一第一垂直式晶体管结构，且该第一垂直式晶体管结构包括：一基底；一第一介电层，配置在该基底的一第一沟渠中；一第一栅极，配置在该第一介电层中，且在该第一栅极两侧的该基底中定义出一第一通道区与一第二通道区；一第一掺杂区，配置在该基底中，且位于该第一通道区下方；一第二掺杂区，配置在该基底中，且位于该第一通道区上方；一第三掺杂区，配置在该基底中，且位于该第二通道区下方；以及一第四掺杂区，配置于该基底中，且位于该第二通道区上方。
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