[发明专利]一种应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法无效
| 申请号： | 201210244400.8 | 申请日： | 2012-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN102810568A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 张鹤鸣;王海栋;胡辉勇;宋建军;宣荣喜;王斌;周春宇;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用微米级工艺制备应变Si垂直沟道PMOS集成器件及制备方法，该方法通过外延材料制备步骤、隔离制备步骤、漏连接区制备步骤和PMOS形成步骤，形成PMOS器件；最后通过构成PMOS集成电路步骤构成导电沟道长度为22～45nm的PMOS集成电路，本发明利用压应变Si空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在微米级Si集成电路加工工艺平台上，在低温下制造出性能优异的应变Si垂直沟道PMOS集成器件及电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应变 si 垂直 沟道 pmos 集成 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应变Si垂直沟道PMOS器件，其特征在于，所述器件导电沟道为回型，且沟道方向与衬底表面垂直。
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