[发明专利]光器件晶片的加工方法

摘要

本发明提供一种光器件晶片的加工方法，在将移设基板接合到隔着缓冲层层叠在蓝宝石基板表面的光器件层后，从蓝宝石基板的背面侧向缓冲层照射激光光线，从而能够可靠地破坏缓冲层而不损伤光器件层并可靠地剥离蓝宝石基板。该方法用于将蓝宝石基板从光器件晶片剥离，其包括：将移设基板接合于光器件层的表面的移设基板接合工序；从蓝宝石基板侧照射脉冲激光光线来破坏缓冲层的缓冲层破坏工序；以及将所述光器件晶片的蓝宝石基板剥离并将光器件层转移到移设基板的蓝宝石基板剥离工序，将脉冲激光光线的波长设定为比蓝宝石基板的吸收限长且比缓冲层的吸收限短，并且将所述脉冲激光光线的脉冲宽度设定为使得热扩散长度在200nm以下。

主权项

一种光器件晶片的加工方法，所述光器件晶片的加工方法用于将蓝宝石基板从光器件晶片剥离，所述光器件晶片在蓝宝石基板的表面隔着缓冲层层叠有由n型半导体层及p型半导体层构成的光器件层，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，所述光器件晶片的加工方法包括：移设基板接合工序，在该移设基板接合工序中，将移设基板接合于光器件层的表面；缓冲层破坏工序，在该缓冲层破坏工序中，从在光器件层的表面接合有移设基板的光器件晶片的蓝宝石基板侧照射脉冲激光光线来破坏缓冲层；以及蓝宝石基板剥离工序，在该蓝宝石基板剥离工序中，将缓冲层已被破坏的光器件晶片的蓝宝石基板剥离并将光器件层转移到移设基板，将在所述缓冲层破坏工序中照射的脉冲激光光线的波长设定为比蓝宝石基板的吸收限长且比缓冲层的吸收限短，并且将所述脉冲激光光线的脉冲宽度设定为使得热扩散长度在200nm以下。