[发明专利]半导体结构的形成方法及处理方法有效
| 申请号： | 201210238582.8 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN103545245A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构的形成方法和处理方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成低介电材料层；刻蚀所述低介电材料层，在所述低介电材料层内形成通孔或沟槽；对所述形成有通孔或沟槽的低介电材料层进行退火，所述退火在氮气、氘气和氢气的混合气体、氮气和氘气的混合气体或氮气和氢气的混合气体的氛围下进行；在所述退火之后在所述通孔或沟槽内填充金属材料。与现有技术相比，本发明通过对低介电材料层形成的层间介质层在氮气为主的混合气体中进行退火，使得所述层间介质层在形成通孔或者沟槽时候升高的介电常数值得到降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 处理 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成低介电材料层；刻蚀所述低介电材料层，在所述低介电材料层内形成通孔或沟槽；对所述形成有通孔或沟槽的低介电材料层进行退火，所述退火在氮气、氘气和氢气的混合气体、氮气和氘气的混合气体或氮气和氢气的混合气体的氛围下进行；在所述退火之后在所述通孔或沟槽内填充金属材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
