[发明专利]一种无结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210232954.6 | 申请日： | 2012-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN102779851A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 楼海君;林信南;李冰华;何进 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，沟道区与漏区的掺杂类型一致，沟道区与漏区的浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。与一般的无结晶体管相比，本申请的晶体管提升了无结器件的电流驱动能力，改善了无结器件性能的稳定性，为器件的进一步缩小和在集成电路中的应用提供一种新思路和方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种无结场效应晶体管，包括源区、沟道区和漏区，所述源区和漏区分别形成在沟道区两端，其特征在于，所述沟道区与漏区的掺杂类型一致，所述沟道区与漏区的掺杂浓度一致，所述源区为使源区与所述沟道区形成无势垒结的金属硅化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究生院，未经北京大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210232954.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种含有戊唑醇的杀菌剂
- 下一篇：一种吸波超材料
- 同类专利
- 专利分类
