[发明专利]半导体存储器元件及包含此元件的并列调整装置有效

专利信息
申请号: 201210232329.1 申请日: 2012-07-05
公开(公告)号: CN103531242A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 郭忠山 申请(专利权)人: 晶豪科技股份有限公司
主分类号: G11C16/30 分类号: G11C16/30
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 史新宏
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭示一种具有参考晶胞调整电路的半导体存储器元件,其包含第一和第二电压转电流电路、多个电阻、第一和第二比较器以及一调整电路。该第一电压转电流电路包含一参考晶胞,其用以转换一偏压电压至一参考电流。一高准确度电阻设置于该半导体存储器元件的外部,且该第二电压转电流电路根据一控制电压和该高准确度电阻以产生第一和第二电流。该些电阻用以根据该参考电流、该第一电流和该第二电流产生一参考电压、一第一电压和一第二电压。该些第一和第二比较器用以比较该参考电压、该第一电压和该第二电压。该调整电路用以根据比较结果以调整该参考晶胞。
搜索关键词: 半导体 存储器 元件 包含 并列 调整 装置
【主权项】:
一种半导体存储器元件,包含:一第一电压转电流电路,包含一参考晶胞,其用以转换一偏压电压至一参考电流;一第一电阻,耦接至该第一电压转电流电路以根据该参考电流产生一参考电压;一第二电压转电流电路,用以转换一控制电压至一第一电流和一第二电流,其中该第一电流的电流值大于该第二电流的电流值;一第二电阻,耦接至该第二电压转电流电路以根据该第一电流产生一第一电压;一第三电阻,耦接至该第二电压转电流电路以根据该第二电流产生一第二电压;一第一比较器,用以比较该参考电压和该第一电压以产生一第一比较信号;一第二比较器,用以比较该参考电压和该第二电压以产生一第二比较信号;以及一调整电路,用以根据该第一比较信号和该第二比较信号以调整该参考晶胞;其中,该第二电阻的阻值和该第三电阻的阻值实质上相同;以及其中,一高准确度电阻设置于该半导体存储器元件的外部,且该第二电压转电流电路根据该控制电压和该高准确度电阻的阻值产生该第一电流和该第二电流。
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