[发明专利]一种双栅鳍型场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201210232236.9 | 申请日： | 2012-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103531618A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅鳍型场效应晶体管，包括底部栅极，底部栅极上的第一介电层，第一介电层顶部的两个底部接触，第一介电层和底部接触上的鳍型可调沟道层，在鳍型可调沟道层上与两个底部接触对应的位置处形成的源极和漏极，在鳍型可调沟道层上、源极和漏极之间形成的绝缘体，在绝缘体上形成的第二介电层，第二介电层上的顶部栅极；以及其制造方法。本发明具有可调的沟道层；可以很好地进行开关转换，提供更大的沟道电荷控制能力、更快的驱动电流并减小短沟道效应；以及改善了的器件接触电阻等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双栅鳍型 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双栅鳍型场效应晶体管，包括：底部栅极;在所述底部栅极上形成的第一介电层；位于所述第一介电层顶部的两个底部接触；在所述第一介电层和所述底部接触上形成的鳍型可调沟道层；在所述鳍型可调沟道层上与所述两个底部接触对应的位置处形成的源极和漏极；在所述鳍型可调沟道层上、所述源极和漏极之间形成的绝缘体；在所述绝缘体上形成的第二介电层；在所述第二介电层上形成的顶部栅极。
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