[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210226475.3 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531525A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;伍强;顾一鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属互连结构及其制作方法，其中制作方法包括：首先提供具有目标电连接区域的半导体衬底；接着在所述半导体衬底上形成图形化的无定形碳层或光刻胶层，所述图形化的无定形碳层或光刻胶层包括垂直相连的第一区域与第二区域；之后在所述半导体衬底上形成金属层；然后回蚀所述金属层，保留所述图形化的无定形碳层或光刻胶层侧墙的所述金属层，去除其它区域的所述金属层，保留的所述金属层对应目标电连接区域；再接着去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案；最后在所述金属互连线图案间填充介电材质以形成金属互连结构。本发明的技术方案，提供了一种寄生电容小、且导电性好的金属互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在所述半导体衬底上形成图形化的无定形碳层或光刻胶层，所述图形化的无定形碳层或光刻胶层包括垂直相连的第一区域与第二区域；在所述半导体衬底上形成金属层；回蚀所述金属层，保留所述图形化的无定形碳层或光刻胶层侧墙的所述金属层，去除其它区域的所述金属层，保留的所述金属层对应目标电连接区域；去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案；在所述金属互连线图案间填充介电材质以形成金属互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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