[发明专利]金属互连结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210226475.3 | 申请日： | 2012-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN103531525A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;伍强;顾一鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 互连 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种金属互连结构的制作方法，其特征在于，包括：
提供具有目标电连接区域的半导体衬底；
在所述半导体衬底上形成图形化的无定形碳层或光刻胶层，所述图形化的无定形碳层或光刻胶层包括垂直相连的第一区域与第二区域；
在所述半导体衬底上形成金属层；
回蚀所述金属层，保留所述图形化的无定形碳层或光刻胶层侧墙的所述金属层，去除其它区域的所述金属层，保留的所述金属层对应目标电连接区域；
去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案；
在所述金属互连线图案间填充介电材质以形成金属互连结构。
2.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述目标电连接区域为前层金属互连结构的导电插塞。
3.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述第一区域为一个，所述第二区域为一个以上。
4.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质为铝。
5.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述金属层的材质为氮化铜，回蚀所述金属层步骤后，去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层以形成金属互连线图案步骤前，对侧墙的所述金属层进行热处理使得氮化铜变为铜。
6.根据权利要求5所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述热处理的温度范围为100-300摄氏度。
7.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，去除所述图形化的无定形碳层或光刻胶层采用灰化法。
8.根据权利要求7所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述灰化采用的气体为CO2与CO的混合气体、N2与H2的混合气体中的至少一种。
9.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，在所述金属互连线图案间所填充的介电材质的介电常数k<2.0。
10.根据权利要求1所述的金属互连结构的制作方法，其特征在于，所述目标电连接区域形成在介电常数k<2.0的介电材质中。
11.一种根据上述权利要求1至10中任意一项制作方法形成的金属互连结构。
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