[发明专利]沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210214621.0 | 申请日： | 2012-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN102856379A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;M.佩尔茨尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;李家麟 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： |
沟槽晶体管和沟槽晶体管的制造方法。半导体器件包括半导体本体，半导体本体包括第一表面和第二表面。所述半导体器件进一步包括从第一表面延伸到半导体本体内的沟槽结构。所述沟槽结构包括在沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分。所述第一部分中的沟槽结构的宽度等于第二部分中的沟槽结构的宽度。所述半导体器件进一步包括在沟槽结构的侧壁处毗连第一和第二栅极介电部分的本体区。所述第一栅极介电部分的底部边缘与第一表面之间的距离d1和第二栅极介电部分的底部边缘与第一表面之间的距离d2满足50nm | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体本体，所述半导体本体包括第一表面和第二表面；沟槽结构，所述沟槽结构从所述第一表面延伸到所述半导体本体内，所述沟槽结构包括在所述沟槽结构的第一部分中的第一栅极介电部分和第一栅极电极部分，以及在所述沟槽结构的第二部分中的第二栅极介电部分和第二栅极电极部分，其中所述第一部分中的所述沟槽结构的宽度等于所述第二部分中的所述沟槽结构的宽度；本体区，所述本体区在所述沟槽结构的侧壁处毗连所述第一栅极介电部分和第二栅极介电部分；并且其中，所述第一栅极介电部分的底部边缘与所述第一表面之间的距离d1和所述第二栅极介电部分的底部边缘与所述第一表面之间的距离d2满足50 nm < d1 ‑ d2。
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