[发明专利]一种高压结型场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210192221.4 | 申请日： | 2012-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN103489912A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 韩广涛 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L29/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压结型场效应晶体管，包括：第一导电类型外延层上的第二导电类型漂移区；第二导电类型漂移区中的第二导电类型漏极重掺杂区；第二导电类型漏极重掺杂区一侧、第二导电类型漂移区上的漏端场氧区；第二导电类型漂移区一侧的第一导电类型阱区；第一导电类型阱区上的第二导电类型源极重掺杂区和第一导电类型栅极重掺杂区及栅源端场氧区；第二导电类型源极重掺杂区与第二导电类型漂移区之间的第二导电类型沟道层；第二导电类型沟道层之上的介电层和场极板；其漏极由第二导电类型漏极重掺杂区引出，源极由场极板与第二导电类型源极重掺杂区连接后引出，栅极由第一导电类型栅极重掺杂区引出。该晶体管具有高的崩溃电压，且易于集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高压结型场效应晶体管，其特征在于，包括：具有第一导电类型外延层的半导体衬底；位于所述第一导电类型外延层上的第二导电类型漂移区；位于所述第二导电类型漂移区中的第二导电类型漏极重掺杂区；位于所述第二导电类型漏极重掺杂区一侧、第二导电类型漂移区上的漏端场氧区；位于所述第二导电类型漂移区一侧的第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区与所述第二导电类型漂移区之间由第一导电类型外延层隔开；位于所述第一导电类型阱区上的第二导电类型源极重掺杂区和第一导电类型栅极重掺杂区，所述第二导电类型源极重掺杂区和第一导电类型栅极重掺杂区之间设有栅源端场氧区将其隔开；位于所述第二导电类型源极重掺杂区与第二导电类型漂移区之间的第二导电类型沟道层；位于所述第二导电类型沟道层之上的场极板，所述场极板延伸至所述漏端场氧区的部分表面，所述场极板与所述第二导电类型沟道层和第二导电类型漂移区之间设有介电层；其中，漏极由第二导电类型漏极重掺杂区电引出；源极由所述场极板与第二导电类型源极重掺杂区电连接后引出；栅极由第一导电类型栅极重掺杂区电引出。
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