[发明专利]采用耗尽模式GaN基FET的串叠电路有效
| 申请号： | 201210189604.6 | 申请日： | 2008-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102694013A | 公开（公告）日： | 2012-09-26 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·墨菲 | 申请（专利权）人： | 电力集成公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/66;H01L29/778;H01L27/06;H03K19/094;H03K19/0952 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人： | 杨勇;郑建晖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种电路包括输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点。该电路还包括III族氮化物耗尽模式FET，其具有源极、漏极和栅极，其中，耗尽模式FET的栅极联接到使耗尽模式FET保持在其导通状态的电势。另外，该电路还包括增强模式FET，其具有源极、漏极和栅极。耗尽模式FET的源极串联联接到增强模式FET的漏极。耗尽模式FET的漏极用作输入漏极节点，增强模式FET的源极用作输入源极节点，并且增强模式FET的栅极用作输入栅极节点。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 耗尽 模式 gan fet 电路 | ||
【主权项】：
一种电路，包括：输入漏极节点、输入源极节点和输入栅极节点；具有源极、漏极和栅极的耗尽模式FET，其中，所述耗尽模式FET是具有大于约100V的额定电压的高压FET，其中，所述耗尽模式FET的栅极联接到使所述耗尽模式FET保持在其导通状态的电势；具有源极、漏极和栅极的增强模式FET，其中，所述增强模式FET是硅基器件或者GaAs基器件，并且其中，所述耗尽模式FET的所述源极串联联接到所述增强模式FET的所述漏极，并且其中，所述耗尽模式FET的所述漏极用作所述输入漏极节点，所述增强模式FET的所述源极用作所述输入源极节点，并且所述增强模式FET的所述栅极用作所述输入栅极节点。
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