[发明专利]具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210185344.5 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102676994A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 熊泽;刘学超;卓世异;孔海宽;杨建华;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0 ≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性，而且具有在较大范围内可调的电阻率，以及在较大范围内可调的电子浓度，可为自旋电子器件的研究和应用提供良好的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 铁磁性 zno 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜，其成份符合化学式Zn1‑x‑yCrxGayO，其中0 ≤ x ≤ 0.03，0 ≤ y ≤ 0.03。
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