[发明专利]光掩模对位方法、光掩模、以及相关的半导体装置有效
| 申请号： | 201210183047.7 | 申请日： | 2012-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN103186059A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 邱垂福 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F1/42;H01L23/544 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 刘晓飞;张龙哺 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开光掩模对位方法、光掩模以及相关的半导体装置。根据所公开的光掩模对位技术，在一半导体装置的一第一制作层上生成多种对位标记设计所对应的多个测试标记以及多个前层对位标记；生成所述多个测试标记的多个测试图样各自具有一第一子图样以及一第二子图样。所述第一子图样与生成对应的前层对位标记的前层对位图样具有同样设计。基于所述多个测试标记，上述多种对位标记设计的效能可受评比。具有最佳效能的对位标记设计所对应的前层对位标记将被视为该半导体装置一第二制作层的光掩模的对位参考。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 对位 方法 以及 相关 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体工艺光掩模对位方法，包括：在一半导体装置的一第一制作生成对应多种对位标记设计的多个测试标记，其中所述多个测试标记是根据多个测试图样所生成，且各个测试图样包括一第一子图样以及一第二子图样；在该半导体装置该第一制作层生成对应上述多种对位标记设计的多个前层对位标记，其中所述多个前层对位标记是根据多个前层对位图样所制，且上述各前层对位图样与所对应的第一子图样具有同样设计；基于所述多个测试标记评比上述多种对位标记设计的效能；以及将具有最佳效能的对位标记设计所对应的前层对位标记视为该半导体装置一第二制作层的光掩模的一对位参考。
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