[发明专利]具有超低结电容密度的pn结及其制造方法有效
| 申请号： | 201210181021.9 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103035669A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 钱文生;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 殷晓雪 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种具有超低结电容密度的pn结，在具有第一导电类型杂质的外延层中由两个隔离结构定义出有源区；在有源区的外延层中对称分布有两个填充结构，两个填充结构之间的间距≤每个填充结构的宽度的1.5倍；每个填充结构均分为上下两部分，下部为氧化硅，上部为具有第二导电类型杂质的多晶硅；所述填充结构的总高度≥3μm，填充结构下部的氧化硅的厚度≥2.5μm；填充结构下部的氧化硅上表面低于外延层上表面，以使外延层与两个填充结构上部的多晶硅之间各形成pn结；填充结构上部的多晶硅掺杂浓度远大于外延层；所述第一导电类型、第二导电类型分别为p型、n型；或相反。本申请还公开了其制造方法。本申请所述pn结具有＜0.05fF/μm2的超低结电容密度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超低结 电容 密度 pn 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有超低结电容密度的pn结，其特征是，在具有第一导电类型杂质的外延层中由两个隔离结构定义出有源区；在有源区的外延层中对称分布有两个填充结构，两个填充结构之间的间距≤每个填充结构的宽度的1.5倍；每个填充结构均分为上下两部分，下部为氧化硅，上部为具有第二导电类型杂质的多晶硅；所述填充结构的总高度≥3μm，填充结构下部的氧化硅的厚度≥2.5μm；填充结构下部的氧化硅上表面低于外延层上表面，以使外延层与两个填充结构上部的多晶硅之间各形成pn结；填充结构上部的多晶硅掺杂浓度远大于外延层；所述第一导电类型、第二导电类型分别为p型、n型；或相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司，未经上海华虹NEC电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210181021.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
