[发明专利]一种MEMS加速度计及制造方法有效
| 申请号： | 201210176690.7 | 申请日： | 2012-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102768290A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 张富强;杨静;孟美玉 | 申请（专利权）人： | 北京时代民芯科技有限公司;中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所 |
| 主分类号： | G01P15/00 | 分类号： | G01P15/00;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 安丽 |
| 地址： | 100076 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种MEMS加速度计及制造方法，采用玻璃-硅-玻璃三层电容式结构，硅层包括第一硅岛和第二硅岛，其中第一硅岛与第一玻璃层的金属电极接触，第二硅岛与第二玻璃层的金属电极接触；第一玻璃层还包括在第一玻璃基底上形成的第一金属电极引出通孔、第二金属电极引出通孔和硅层电极引出通孔；所述第一金属电极引出通孔与第一硅岛的位置相对应，所述第二金属电极引出通孔与第二硅岛的位置相对应，在第一硅岛和第二硅岛上分别形成金属焊点；在硅框架与硅层电极引出通孔对应的位置上形成金属焊点。本发明能够将玻璃层的金属电极与硅层电极在同一面引出，解决了三个电极不在同一面引出的封装难题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 加速度计 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS加速度计，采用玻璃‑硅‑玻璃三层电容式结构，包括依次设置的第一玻璃层、硅层和第二玻璃层，硅层包括硅框架、质量块、和支撑梁；第一玻璃层包括第一玻璃基底、在第一玻璃基底的一个面上形成的第一槽、和在第一槽的表面上形成的第一玻璃层金属电极，第二玻璃层包括第二玻璃基底、在第二玻璃基底的一个面上形成的第二槽、和在第二槽的表面上形成的第二玻璃层金属电极；其特征在于，所述硅层还包括第一硅岛和第二硅岛，所述硅岛形成在硅框架的内部，并与硅框架通过间隙间隔开；其中第一硅岛与第一玻璃层的金属电极接触，第二硅岛与第二玻璃层的金属电极接触；第一玻璃层还包括在第一玻璃基底上形成的第一金属电极引出通孔、第二金属电极引出通孔和硅层电极引出通孔；所述第一金属电极引出通孔与第一硅岛的位置相对应，所述第二金属电极引出通孔与第二硅岛的位置相对应，在第一硅岛和第二硅岛上分别形成金属焊点；在硅框架与硅层电极引出通孔对应的位置上形成金属焊点。
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