[发明专利]一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210174234.9 申请日: 2012-05-30
公开(公告)号: CN102683518A 公开(公告)日: 2012-09-19
发明(设计)人: 王家鑫;吴奎;曾一平 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汤保平
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法,包括:在蓝宝石衬底上淀积二氧化硅膜;在二氧化硅膜上,排布一单层紧密排列的自组装球;加热;刻蚀聚苯乙烯球,经过刻蚀后,聚苯乙烯球间距变大,球半径减小;再加热;在自组装球表面、间隙及二氧化硅膜的表面蒸镀金属;采用甲苯超声方法,去除自组装球表面的金属;高温处理,使自组装球气化,使保留的金属形成网孔状金属掩膜;以网孔状金属为掩膜,用F基等离子体ICP的方法,刻蚀二氧化硅膜;以网孔状金属为掩膜,用Cl基等离子体刻蚀方法,刻蚀蓝宝石衬底,或者用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀得到纳米孔状蓝宝石图形衬底;用王水或强酸溶液去除金属掩膜,用氢氟酸溶液去除二氧化硅膜,得到蓝宝石纳米孔状图形衬底。
搜索关键词: 一种 蓝宝石 纳米 图形 衬底 制备 方法
【主权项】:
一种蓝宝石纳米孔状图形衬底的制备方法,包括以下步骤:1)在蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜;2)在二氧化硅膜上,排布一单层紧密排列的自组装球;3)加热,使自组装球与二氧化硅膜结合牢固;4)采用ICP方法,刻蚀聚苯乙烯球,经过刻蚀后,聚苯乙烯球间距变大,球半径减小;5)再加热,使自组装球在二氧化硅膜上有稍微塌陷;6)在自组装球表面、间隙及二氧化硅膜的表面蒸镀金属;7)采用甲苯超声方法,去除自组装球表面的金属;8)高温处理,使自组装球气化,使保留的金属形成网孔状金属掩膜;9)以网孔状金属为掩膜,用F基等离子体ICP的方法,刻蚀二氧化硅膜;10)以网孔状金属为掩膜,用Cl基等离子体刻蚀方法,刻蚀蓝宝石衬底,或者用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀得到纳米孔状蓝宝石图形衬底;11)用王水或强酸溶液去除金属掩膜,用氢氟酸溶液去除二氧化硅膜,得到蓝宝石纳米孔状图形衬底。
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