[发明专利]半导体结构的形成方法及MOS晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210165884.7 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103426735A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 涂火金;何有丰;金兰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法及MOS晶体管的形成方法，所述半导体结构的形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成半导体层，从所述半导体衬底表面到半导体层表面，所述半导体层内的第一杂质离子浓度先减小，达到最低浓度后再增大；在所述半导体层内采用相同的杂质离子进行第一离子注入，第一离子注入深度小于半导体层的厚度。由于从所述半导体衬底表面到半导体层表面，因离子注入形成的第二杂质离子浓度先变大再变小，而所述半导体层内的原位掺杂的第一杂质离子浓度先减小，达到最低浓度后再增大，使得半导体层内各个深度的第一杂质离子浓度和第二杂质离子浓度相加后的整体浓度均匀性较高，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 mos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底表面形成半导体层，所述半导体层内原位掺杂有杂质离子，所述原位掺杂的杂质离子浓度为第一杂质离子浓度，且从所述半导体衬底表面到半导体层表面，所述半导体层内的第一杂质离子浓度先减小，达到最低浓度后再增大；在所述半导体层内进行第一离子注入，从所述半导体衬底表面到半导体层表面，第一离子注入形成的第二杂质离子浓度先增大，在深度达到第一离子注入深度时再减小，所述第一离子注入的杂质离子与原位掺杂的杂质离子相同，所述第一离子注入深度小于半导体层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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