[发明专利]一种GaN半导体LED芯片制作方法

摘要

一种GaN半导体LED芯片制作工艺，包括：在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、多量子阱层和p型GaN层；生长掺锡氧化铟即ITO透明电极层；对ITO透明电极层进行过腐蚀；进行干法腐蚀，从p型GaN层刻蚀到n型GaN层，从而形成台面结构；在ITO层上沉积SiO2保护层；刻蚀出p型电极区域和n型电极区域；分别生长p型电极欧姆接触层和n型电极层；对蓝宝石衬底进行减薄、抛光、划片和裂片处理。本发明的工艺简单、成本低。

主权项

一种GaN半导体LED芯片制作工艺，其特征在于，它包括如下步骤：a）在蓝宝石衬底（7）上依次生长LED外延片结构：p型GaN层（4）、多量子阱层（5）和n型GaN层（6）；b）在所述p型GaN层（4）上，生长掺锡氧化铟电极层（3）；c) 采用FeCl3 ：HCl组成的腐蚀液，对掺锡氧化铟电极层（3）进行过腐蚀；d) 采用电子束蒸发台，在p型GaN层（4）上和n型GaN层（6）上分别生长p型欧姆接触层（1’）和n型电极层（8’）；以及e)对蓝宝石衬底（7）进行减薄、抛光、划片和裂片处理。