[发明专利]半导体结构的形成方法有效
| 申请号： | 201210149360.9 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426751B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李广宁 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件；在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体器件，所述第一介质层中形成有与半导体器件相连的插塞；在第一介质层和插塞表面形成第二介质层；在第二介质层中形成暴露插塞表面的开口；在形成所述开口后，对所述半导体衬底进行第一退火；在进行所述第一退火后，在所述开口中填充满金属，形成第一金属互连层。在形成第一金属互连层之前，进行第一退火，减小半导体衬底上各材料之间的内应力，在形成第一金属互连层之后，减小了内应力的叠加效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有半导体器件；在半导体衬底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述半导体器件，所述第一介质层中形成有与半导体器件相连的插塞；在第一介质层和插塞表面形成第二介质层；在第二介质层中形成暴露插塞表面的开口；在形成所述开口后，对所述半导体衬底进行第一退火；在进行所述第一退火后，在所述开口中填充满金属，形成第一金属互连层；其中，所述第一退火的温度为180～220摄氏度，退火时热处理时间为80～150秒，退火后冷处理时间为20～60秒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
