[发明专利]半导体结构的制造方法无效
| 申请号： | 201210132370.1 | 申请日： | 2012-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN102637649A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 洪嘉临 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构的制造方法包括以下步骤。首先，提供承载层，其中承载层具有开孔。然后，设置半导体结构于承载层上，其中半导体结构包括电性接点，电性接点容置于开孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，包括：提供一承载层，其中该承载层具有至少一开孔；以及设置一半导体结构于该承载层上，其中该半导体结构包括至少一电性接点，该至少一电性接点容置于该至少一开孔内。
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