[发明专利]钝化层结构及其形成方法、刻蚀方法无效
| 申请号： | 201210113566.6 | 申请日： | 2012-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN103378128A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种钝化层结构及其形成方法和刻蚀方法，所述钝化层结构包括：第一钝化层；形成在第一钝化层的第二钝化层；形成在第二钝化层的氮化铝层。所述钝化层结构的形成方法包括：形成第一钝化层；在第一钝化层上形成第二钝化层；在第二钝化层上形成氮化铝层。所述钝化层结构的刻蚀方法包括：在所述氮化铝层上形成光刻胶；曝光显影，使得所述光刻胶形成光刻胶图案；利用所述光刻胶图案刻蚀所述氮化铝层；利用所述氮化铝层作为掩模进行第一刻蚀，去除第一钝化层；进行第二刻蚀，去除第二钝化层。本发明能够避免原有的钝化层结构中在刻蚀时，由于光刻胶较薄产生的不必要刻蚀和光刻胶较厚产生的光刻胶残留物难以去除的现象，并优化钝化层的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 结构 及其 形成 方法 刻蚀 | ||
【主权项】：
一种钝化层结构，其特征在于，所述钝化层结构包括：第一钝化层；形成在第一钝化层上的第二钝化层；形成在第二钝化层上的氮化铝层。
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