[发明专利]用于处理半导体晶圆或裸片的方法和粒子沉积设备有效
| 申请号： | 201210098988.0 | 申请日： | 2012-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102738040A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | M.恩格尔哈特;M.弗兰克;T.孔斯特曼;I.尼基廷;W.罗布尔;G.鲁尔;H-J.蒂默 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢攀;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于处理半导体晶圆或裸片的方法和粒子沉积设备。根据各种实施例，提供了一种用于处理半导体晶圆或裸片的方法，包括将粒子提供到等离子体以使得通过等离子体激活所述粒子并且将激活的粒子喷射在半导体晶圆或裸片上以在半导体晶圆或裸片上生成粒子层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 处理 半导体 方法 粒子 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种用于处理半导体晶圆或裸片的方法，包括：将粒子提供到等离子体以使得通过等离子体激活所述粒子；将激活的粒子喷射在半导体晶圆或裸片上以在半导体晶圆或裸片上生成粒子层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210098988.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：衬底处理装置及搬运装置
- 下一篇：等离子体处理装置和等离子体产生用天线
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
