[发明专利]基于垂直双栅的抗辐照晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210096469.0 | 申请日： | 2012-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN102623505A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄如;罗长宝;安霞;张兴;杨东;刘长泽 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于垂直双栅的抗辐照晶体管及其制备方法，属于半导体器件领域。该器件包括凸形沟道、源、漏、底栅和顶栅，凸形沟道左右两边延伸到源端，凸形沟道凸起的部分连接漏。本发明由于单粒子垂直漏端入射的时候只经过沟道的垂直部分，不经过凸形沟道左右延伸部分，沟道左右延伸部分得到保护，重粒子辐照后沟道受影响的范围比较小，因而抗单粒子性能得到改善。且本发明提出了漏端位于沟道的凸起上，漏端与STI区完全隔开，STI区陷入的电荷无法在源漏间形成泄漏通道，因而具有很好的抗总剂量特性。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 垂直 辐照 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双栅MOS器件，包括沟道、源端、漏端、底栅和顶栅，其特征在于，沟道的截面形状为凸形，沟道左右两边延伸到源端，沟道凸起的部分连接漏端。
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