[发明专利]等离子体处理装置和等离子体产生用天线无效
| 申请号： | 201210093394.0 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102737944A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 池田太郎;小松智仁;河西繁 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够供给气体和电磁波的等离子体处理装置和等离子体产生用天线。等离子体处理装置(10)包括：进行等离子体处理的处理容器(100)；使所供给的电磁波透过的慢波板(480)；和具有与慢波板(480)邻接地设置的喷头(210)的等离子体产生用天线(200)，喷头(210)由导体形成，设置有多个气孔(215)，在与多个气孔(215)分离的位置具有使电磁波通过的多个切槽(220)。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 产生 天线 | ||
【主权项】：
一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：进行等离子体处理的处理容器；使所供给的电磁波透过的慢波板；和具有与所述慢波板邻接地设置的喷头的等离子体产生用天线，所述喷头由导体形成，设置有多个气孔，在与多个气孔分离的位置具有使电磁波通过的多个切槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210093394.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于处理半导体晶圆或裸片的方法和粒子沉积设备
- 下一篇：个人验证装置
