[发明专利]光半导体元件以及光半导体元件的制造方法

摘要

本发明提供光半导体元件以及光半导体元件的制造方法。光半导体元件(10)包括：第1半导体层(12)，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层(13)，由第2导电型的半导体组成，并且在第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极(14a)，在第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极(14b)，在第2半导体层的上面形成，并且具有位于比第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极(52)，在第1电极的上面形成；第2连接电极(51)，在第2电极的上面形成；以及保护膜(15)，是覆盖第1半导体层的表面和第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使第1半导体层的表面的一部分露出的开口部(21)。

主权项

一种光半导体元件，其特征在于，包括：第1半导体层，由第1导电型的半导体组成；第2半导体层，由第2导电型的半导体组成，并且在上述第1半导体层的上面的一部分上形成；第1电极，在上述第1半导体层的上面中的另一部分上形成；第2电极，在上述第2半导体层的上面形成，并且具有位于比上述第1电极的上面还要高的位置的上面；第1连接电极，在上述第1电极的上面形成；第2连接电极，在上述第2电极的上面形成；以及保护膜，是覆盖上述第1半导体层的表面和上述第2半导体层的表面的绝缘性的保护膜，并且具有使上述第1半导体层的表面的一部分露出的开口部。