[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件有效
| 申请号： | 201210086827.X | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN102738329A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 丰田优介;奥野浩司;西岛和树 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;吴鹏章 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在不增加驱动电压的情况下表现出改进的发射性能的第III族氮化物半导体发光器件。该第III族氮化物半导体发光器件至少包括n型层侧包覆层、具有包括AlxGa1-xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子结构的发光层以及p型层侧包覆层，其中，每个层由第III族氮化物半导体形成。在发光层从n型层侧包覆层到p型层侧包覆层沿着厚度方向分为第一块、第二块和第三块这三个块的情况下，第一块和第三块中的势垒层的数量相同，并且，每个发光层的Al组成比被设置成满足关系式x+z＝2y且z＜x，其中，x表示第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示第二块中的势垒层的平均Al组成比，z表示第三块中的势垒层的平均Al组成比。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
一种第III族氮化物半导体发光器件，其至少包括：n型层侧包覆层；发光层，所述发光层具有包括AlxGa1‑xN(0＜x＜1)层作为势垒层的多量子阱结构；和p型层侧包覆层，所述层中的每个层都由第III族氮化物半导体形成，其中在所述发光层从所述n型层侧包覆层向所述p型层侧包覆层沿厚度方向分为第一块、第二块和第三块的三个块时，每个块中的势垒层的Al组成比设定为满足关系式z＜y＜x，其中，x表示所述第一块中的势垒层的平均Al组成比，y表示所述第二块中的势垒层的平均Al组成比，并且z表示所述第三块中的势垒层的平均Al组成比。
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