[发明专利]一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201210085092.9 | 申请日： | 2012-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103365091A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 申加兵;夏伟;李懿洲;任忠祥 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/039 | 分类号： | G03F7/039;G03F7/00;H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种LED芯片或衬底表面粗化用掩膜液及其制备方法与应用。该掩膜液是在正性光刻胶中加入磁性金属微球颗粒，磁性金属微球颗粒与正性光刻胶的体积比为1∶10～20；所述磁性金属微球颗粒成分为铁或铁的合金。本发明的掩膜液用于AlGaInP LED芯片表面粗化或者GaN LED芯片衬底粗化。将掩膜液喷射到晶片表面上使掩膜层的厚度为磁性金属微球颗粒直径的1～2倍。本发明解决了自然粗化法粗化的角度、深度受晶格结构限制及光刻掩膜版需要昂贵步进光刻机的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 衬底 表面 化用 掩膜液 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种表面粗化用掩膜液，其特征在于该掩膜液是在黏度为200～300厘泊的正性光刻胶中加入直径为1～4μm的磁性金属微球颗粒制成，磁性金属微球颗粒与正性光刻胶的体积比为1∶10～20；所述磁性金属微球颗粒成分为铁或铁的合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东浪潮华光光电子股份有限公司，未经山东浪潮华光光电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210085092.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
