[发明专利]非挥发性存储器的擦除方法

摘要

本发明公开了一种非挥发性存储器的擦除方法，包括如下步骤：进行预编程。进行深擦除。进行软编程。对各存储单元都进行电荷或电平检测；如果有一个以上的存储单元未达到预定电平，则进行步骤，从非挥发性存储器的第0列到第M-1列，对于每一列，读第0行至第N-1行的各存储单元的数据，将各列的第0行至第N-1行的各存储单元的数据取反相或并将取反相或的值写入到数据缓冲存储区中，之后，再重复软编程和电荷或电平检测的步骤；如果所有存储单元都达到预定电平电荷或电平检测，则结束擦除。本发明能大大减少数据写入到数据缓冲存储区中的操作的次数，也从而能大大缩短整个擦除过程的时间，提高擦除效率。

主权项

一种非挥发性存储器的擦除方法，其特征在于，非挥发性存储器的存储单元的结构为N行×M列，所述非挥发性存储器设置一个数据缓冲存储区，非挥发性存储器的擦除方法包括如下步骤：步骤一、进行预编程，所述预编程实现对各所述存储单元进行写1操作，使各所述存储单元的电平全部都大于第一电平；所述预编程之后，对各所述存储单元进行电荷或电平检测，各所述存储单元全部读出值要求都为1；步骤二、进行深擦除，所述深擦除实现对各所述存储单元进行写0操作，使各所述存储单元的电平全部都小于第二电平，所述第二电平小于所述第一电平；所述深擦除之后，对各所述存储单元进行电荷或电平检测，各所述存储单元全部读出值要求都为0；步骤三、进行软编程，所述软编程用于对各所述存储单元进行写1操作，所述软编程的编程时间小于所述预编程的编程时间，所述软编程的编程电压和所述预编程的编程电压相同；步骤四、对各所述存储单元都进行电荷或电平检测，该电荷或电平检测用于检测是否所有的所述存储单元都达到了预定电平，所述预定电平为大于所述第二电平且小于所述第一电平的电平；如果有一个以上的所述存储单元未达到所述预定电平，则进行步骤五；如果所有的所述存储单元都达到所述预定电平，则进行步骤六；步骤五、从所述非挥发性存储器的第0列到第M‑1列，对于每一列，读第0行至第N‑1行的各所述存储单元的数据，将各列的所述第0行至第 N‑1行的各所述存储单元的数据取反相或，并将各列得到的取反相或的值写入到所述数据缓冲存储区中；之后，再重复步骤三和步骤四；步骤六、结束擦除。