[发明专利]一种去除工业硅中硼磷杂质的方法有效
| 申请号： | 201210078794.4 | 申请日： | 2012-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102616787A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 罗学涛;余德钦;林彦旭;方明;卢成浩;李锦堂 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种工业硅的提纯方法。1)将渣料2预熔，渣料2为CaO-CaSi2；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热使物料熔化，渣料1为SiO2-Na2CO3-CaF2；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kW，待温度下降；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 工业 硅中硼磷 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：1)将渣料2预熔，所述渣料2为CaO‑CaSi2，按质量百分比，CaO为40％～70％，CaSi2为30～50％；2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热，使物料熔化，所述渣料1为SiO2‑Na2CO3‑CaF2，按质量百分比，SiO2为40％～80％，Na2CO3为20％～50％，CaF2为5％～20％；3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kw，维持一段时间，待温度降下来；4)重复步骤3)；5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。
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