[发明专利]一种去除工业硅中硼磷杂质的方法

权利要求书

1.一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将渣料2预熔，所述渣料2为CaO-CaSi₂，按质量百分比，CaO为40％～70％，CaSi₂为30～50％；

2)将渣料1压成渣球，将部分渣料1和工业硅放进坩埚，抽真空，开启中频感应电源加热，使物料熔化，所述渣料1为SiO₂-Na₂CO₃-CaF₂，按质量百分比，SiO₂为40％～80％，Na₂CO₃为20％～50％，CaF₂为5％～20％；

3)升高中频感应电源的功率至80～100kW，当温度在1300～1500℃时，将部分渣料2加入到坩埚中，通气搅拌，继续升高中频感应电源的功率至100～120kW，当温度在1600～1800℃时，将部分渣料1加入到坩埚中，再通气搅拌，降低功率到80kw，维持一段时间，待温度降下来；

4)重复步骤3)；

5)造渣后将硅液倒入承接坩埚，静置冷却后取出硅锭，物理破碎得到提纯的多晶硅锭。

2.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤1)中，所述预溶的温度为1650～1850℃；按质量百分比，CaO可为50％～60％，CaSi₂为40～50％。

3.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤2)中，所述压成渣球采用球形磨具，所述渣球的直径可为5～20cm。

4.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤2)中，按质量百分比，SiO₂为50％～70％；Na₂CO₃为30％～45％；CaF₂为8％～15％。

5.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤2)中，所述部分渣料1与工业硅的质量比为1∶(10～0.5)，优选1∶(5～0.5)，最好为1∶(2.5～0.5)。

6.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤2)中，所述部分渣料1按质量比占全部渣料1的1/3～1/2；所述抽真空的真空度可为450Pa以下。

7.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤3)中，所述通气搅拌的气体为Ar气，所述通气搅拌的时间维持1～10min，最好维持2～5min。

8.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤3)中，所述再通气搅拌的气体为Cl₂气，所述再通气搅拌的时间为2～15min，最好为3～10min。

9.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤4)中，所述重复的次数为3～10次，最好为4～6次。

10.如权利要求1所述的一种去除工业硅中硼磷杂质的方法，其特征在于在步骤5)中，所述造渣的时间为20～80min，最好为30～60min；所述静置的时间可为40～60min。