[发明专利]一种绝缘体上锗衬底的制备方法无效
| 申请号： | 201210074448.9 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN102610553A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄如;林猛;安霞;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上锗衬底的制备方法，属于半导体器件领域。该方法在制备GeOI衬底的过程中实现了上层锗膜与埋氧层界面的钝化处理，减少界面态密度，提高GeOI衬底的背界面质量。本发明有效降低理氧层(BOX)的介电常数，有利于抑制基于绝缘体上锗(GeOI)衬底制备的MOSFET的短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘体 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上锗衬底的制备方法，其工艺实现方法如下：1)分别对锗衬底和硅衬底进行清洗；2)去除锗衬底和硅衬底表面的自然氧化层；3)在锗衬底上淀积一层SiO2，在硅衬底上生长一层SiO2；4)对锗衬底上的SiO2做含氟碳氢化合物气体的等离子体处理；5)在等离子体处理过的SiO2上淀积一层SixNy；6)退火；7)在SixNy上淀积一层SiO2；8)分别对SixNy上的SiO2和硅衬底上的SiO2做表面活化处理，随后将二者对准键合；9)键合后退火；10)减薄。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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