[发明专利]晶圆级封装结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种可抑制切割刀磨损而延长切割刀寿命的晶圆级封装结构及其制造方法。晶圆级封装制造方法例如包含：树脂形成步骤(400)，在基板(450)的表面上，形成包含形成着配线的槽(462)的绝缘性第一树脂(460)；第一成膜步骤(410)，在第一树脂(460)的表面，通过物理气相生长成膜成为部分配线的第一金属(470)；第二成膜步骤(420)，在第一金属(470)的表面上，进一步成膜成为配线的一部分的硬度比第一金属(470)低的第二金属(480)；设置步骤(430)，在和槽(462)的侧面未成膜第一金属(470)的部位或变薄的部位相当的高度H0、H1处设置切割刀(490)；以及切割步骤(440)，通过扫描切割刀(490)，至少将第一树脂(460)切割。

主权项

一种晶圆级封装的制造方法，其特征在于包含：树脂形成步骤，在基板的表面上形成包含形成着配线的槽的绝缘性第一树脂；第一成膜步骤，在所述第一树脂的表面，通过物理气相生长成膜成为部分所述配线的第一金属；第二成膜步骤，在所述第一金属的表面，成膜成为所述配线的一部分的硬度比所述第一金属低的第二金属；设置步骤，在所述槽的侧面的未成膜所述第一金属的高度设置切割刀；以及切割步骤，通过扫描所述切割刀，至少切割所述第一树脂。