[发明专利]铝铜膜的物理气相沉积方法无效
| 申请号： | 201210061105.9 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102586737A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘峰松;徐雷军;归剑;孙远;何德安 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铝铜膜的物理气相沉积方法，包括：将衬底送入处理腔室，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积。其中，所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座；所述铝铜靶材背面设有磁控配件组，所述腔体中设有第一冷却水系统，所述磁控配件组内部设有第二冷却水系统，所述衬底基座中设有第三冷却水系统和加热器。在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中，所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统保持循环。采用本发明的技术方案，可以将腔室温度变化范围控制在5℃以内，从而有效地降低胡须状缺陷的发生率。 | ||
| 搜索关键词： | 铝铜膜 物理 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种铝铜膜的物理气相沉积方法，包括：将衬底送入处理腔室，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积；其中，所述处理腔室包括腔体、作为阴极的铝铜靶材、作为阳极的衬底基座；所述铝铜靶材背面设有磁控配件组，所述腔体中设有第一冷却水系统，所述磁控配件组内部设有第二冷却水系统，所述衬底基座中设有第三冷却水系统和加热器；其特征在于，在所述衬底表面进行铝铜膜沉积过程中，所述第一冷却水系统、第二冷却水系统以及第三冷却水系统保持循环。
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