[发明专利]一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法有效
| 申请号： | 201210056535.1 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102586884A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 范志东;王静;张东升;赵学玲;吝占胜 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/00 | 分类号： | C30B31/00;C30B33/02;C30B29/06;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法，该方法包括：步骤S1恒定源扩散、步骤S2升温限定源扩散、步骤S3恒定源扩散。在本发明中，由于步骤S3恒定源扩散，增加了对多晶硅硅片表面杂质磷的沉积。因此，在步骤S1中，可以相应地减少一次沉积的杂质磷，从而避免了杂质磷的过量沉积。并且，步骤S3是在高温下，此时多晶硅对磷原子的固溶度增加，沉积的杂质磷不需要再进行推进，通过控制杂质磷的沉积量来控制杂质磷在多晶硅中的溶解量，避免了由于过量沉积并再次进行推进而产生的“死区”存在。本发明所提供的多晶硅硅片制PN结两次扩散的制造方法能够实现解决多晶硅硅片制PN结后所存在的表面“死层”问题的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 两次 扩散 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，包括步骤：1)在730℃至820℃的温度下对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散；2)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行限定源扩散：3)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散。
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