[发明专利]一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，包括步骤：

1)在730℃至820℃的温度下对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散；

2)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行限定源扩散：

3)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散。

2.根据权利要求1所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，在步骤3)之后还包括步骤4)对多晶硅硅片进行降温处理，采用5℃-10℃/min的降温速度降至750℃至800℃。

3.根据权利要求2所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，在步骤4)之后还包括步骤5)对多晶硅硅片进行退火操作，在750℃至800℃以下通入流量为800sccm至1500sccm的氧气，所述步骤5)的操作时间为5min至15min。

4.根据权利要求1所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，在所述步骤3)中，对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散的扩散操作时间为5min至10min。

5.根据权利要求1所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，在步骤1)和步骤2)之间还包括步骤11)对多晶硅硅片进行升温操作，升温速度为5℃-10℃/min。

6.根据权利要求1所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散的时间为5min至15min。

7.根据权利要求1所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，步骤2)中对多晶硅硅片进行限定源扩散时，氧气流量为300sccm至800sccm。

8.根据权利要求1所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，对多晶硅硅片进行第一次限定源扩散时，限定源扩散操作的时间为10min至15min。

9.根据权利要求1至8任一项所述多晶硅硅片两次扩散的制造方法，其特征在于，所述步骤1)之前还包括预处理工序：在750℃至800℃的温度下对多晶硅硅片进行5min至15min的氧化处理。