[发明专利]自对准导电凸块结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210047895.5 申请日: 2012-02-27
公开(公告)号: CN102903696A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 黄震麟;陈依婷;施应庆;蔡柏豪;卢思维;林俊成;郑心圃;余振华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 北京德恒律师事务所 11306 代理人: 陆鑫;房岭梅
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 本披露涉及半导体器件的导电凸块结构。用于半导体器件的典型结构包括基板,其包括主表面和在基板的主表面之上分布的导电凸块。导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体,并且导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
搜索关键词: 对准 导电 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体器件,包括:基板,包括主表面;以及导电凸块,分布在所述基板的所述主表面之上,其中,所述导电凸块的第一子集中的每个都包括规则体,并且所述导电凸块的第二子集中的每个都包括环形体。
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