[发明专利]沟槽型MOS晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201210030426.2 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569406A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 苟鸿雁 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种沟槽型MOS晶体管及其制造方法。根据本发明的沟槽型MOS晶体管包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；在所述漏区上的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；在所述漂移区上的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；在所述沟道体上的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；漂移区的沟槽；在所述沟槽内壁上的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上的多晶硅栅极；其中，在所述漂移区中形成有掩埋氧化区。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型MOS晶体管，其特征在于包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；在所述漏区上的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；在所述漂移区上的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；在所述沟道体上的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；漂移区的沟槽；在所述沟槽内壁上的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上的多晶硅栅极；其中，在所述漂移区中形成有掩埋氧化区。
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