[发明专利]一种半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210027899.7 | 申请日： | 2012-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103247517A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 郭磊;李园 | 申请（专利权）人： | 郭磊;李园 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的形成方法以及半导体结构，该方法包括：提供衬底；在衬底之上形成第一单晶半导体层；刻蚀第一单晶半导体层以形成多个开口；从多个开口对第一单晶半导体层刻蚀以形成多个孔或槽，多个孔或槽延伸到衬底的顶部表面或内部；通过多个孔或槽对衬底进行腐蚀处理以使衬底的顶部形成多个支撑结构；以及淀积单晶半导体材料，以在第一单晶半导体层之上形成第二单晶半导体层。该方法能够降低单晶半导体的位错密度，避免热失配导致龟裂，提高薄膜生长质量，有利于降低成本和后期衬底剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底之上形成第一单晶半导体层；刻蚀所述第一单晶半导体层以形成多个开口；从所述多个开口对所述第一单晶半导体层刻蚀以形成多个孔或槽，所述多个孔或槽延伸到所述衬底的顶部表面或内部；通过所述多个孔或槽对所述衬底进行腐蚀处理以使所述衬底的顶部形成多个支撑结构；以及淀积单晶半导体材料，以在所述第一单晶半导体层之上形成第二单晶半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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