[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201210022325.0 | 申请日： | 2012-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN102800690A | 公开（公告）日： | 2012-11-28 |
| 发明（设计）人： | 周瀚洙;朴梄珍 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件，包括：栅结构，所述栅结构包括在衬底之上与控制栅层交替地层叠的第一绝缘层，其中，所述栅结构沿着第一方向延伸；沟道线，所述沟道线每个都沿着不同于第一方向的第二方向在栅结构之上延伸；存储层，所述存储层被形成在栅结构与沟道线之间，并被设置成通过将栅结构与沟道线电绝缘来俘获电荷；位线接触，所述位线接触形成行并与沟道线的顶表面接触，每行沿着第一方向延伸；源极线，所述源极线每个都沿着第一方向延伸并与沟道线的顶表面接触，其中，源极线与位线接触的行交替；以及位线，所述位线每个都形成在位线接触之上并沿着第二方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：栅结构，所述栅结构包括在衬底之上与控制栅层交替地层叠的第一绝缘层，其中，所述栅结构沿着第一方向延伸；沟道线，所述沟道线每个都沿着不同于所述第一方向的第二方向在所述栅结构之上延伸；存储层，所述存储层形成在所述栅结构与所述沟道线之间，并被设置成通过将所述栅结构与所述沟道线电绝缘来俘获电荷；位线接触，所述位线接触形成行并与所述沟道线的顶表面接触，每行沿着所述第一方向延伸；源极线，所述源极线每个都沿着所述第一方向延伸并与所述沟道线的顶表面接触，其中，所述源极线与所述位线接触的行交替；以及位线，所述位线每个都形成在所述位线接触之上并且沿着所述第二方向延伸。
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