[发明专利]MOS变抗器结构和方法有效
| 申请号： | 201210016655.9 | 申请日： | 2012-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN102623515A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黄崎峰;陈家忠 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L21/334 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了用于MOS变抗器结构的装置和方法。提供了装置，包括限定在半导体衬底的一部分中的有源区；在有源区中延伸入半导体衬底中的掺杂阱区域；平行设置在掺杂阱区域中的至少两个栅极结构；设置在形成在栅极结构的相对两侧上的阱区域中的源极和漏极区域；形成在覆盖至少两个栅极结构并且电连接至少两个栅极结构的第一金属层中的栅极连接件；形成在第二金属层中并且电连接至源极和漏极区域的源极和漏极连接件；以及将在第二金属层中的源极和漏极连接件与形成在第一金属层中的栅极连接件隔离的层间介电材料。公开了用于形成该结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | mos 变抗器 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：半导体衬底，包括：有源区，限定在所述半导体衬底的一部分中；掺杂阱区域，位于所述有源区中，延伸进入所述半导体衬底；至少两个栅极结构，被平行地设置在所述掺杂阱区域上方，所述栅极结构包括位于栅极介电材料上方的导体；源极和漏极区域，设置在形成在所述栅极结构的相对两侧上的阱区域中；栅极连接件，形成在第一金属层中，所述第一金属层覆盖所述至少两个栅极结构并且电连接所述至少两个栅极结构；源极和漏极连接件，形成在第二金属层中并且覆盖在所述阱区域中的所述源极和漏极区域并且电连接至所述源极和漏极区域；以及层间介电材料，将在所述第二金属层中的所述源极和漏极连接件与形成在所述第一金属层中的所述栅极连接件电隔离。
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