[发明专利]高穿透率的封装发光二极管有效
| 申请号： | 201210011125.5 | 申请日： | 2012-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103208575B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡凯雄;李建立 | 申请（专利权）人： | 蔡凯雄;李建立 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/56;C08L83/04 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司11355 | 代理人： | 张雅军,秦小耕 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高穿透率的封装发光二极管，包含一个基板、一个发光元件、一个引线单元，及一个耐热层。该发光元件形成在该基板上。该引线单元连接该基板与该发光元件。该耐热层至少形成在该发光元件上且该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷。借此，使该耐热层的粘合效果较佳、穿透率较高，且不会黄变，能提高该高穿透率的封装发光二极管的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 穿透 封装 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种高穿透率的封装发光二极管，包含一个基板、一个形成在该基板上的发光元件、一个连接该基板与该发光元件的引线单元、一个至少形成在该发光元件上的耐热层，其特征在于：该耐热层的成分包括硅利光树脂及0.1％至10％重量百分比的环氧基硅烷，且该环氧基硅烷是选自于通式(I)或通式(II)：其中，R为CH3烷基。
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