[发明专利]具有隔离区的晶体管有效
| 申请号： | 201180059979.4 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN103262244A | 公开（公告）日： | 2013-08-21 |
| 发明（设计）人： | 乌梅什·米什拉;斯拉班缇·乔杜里 | 申请（专利权）人： | 特兰斯夫公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 张焕生;谢丽娜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管器件，包括：源极、栅极、漏极；包括在源极和漏极之间的栅极区的半导体材料；在栅极的任一侧的半导体材料中的多个沟道接入区；半导体材料中的在栅极区和沟道接入区中具有有效宽度的沟道；以及栅极区中的隔离区。隔离区用于在基本上不降低沟道在接入区中的有效宽度的情况下降低沟道在栅极区中的有效宽度。作为替代，隔离区可被构造成收集晶体管器件中产生的空穴。隔离区可同时实现上述两种功能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有短路存活时间的晶体管器件，包括：源极、栅极和漏极；半导体材料，所述半导体材料包括在所述源极和所述漏极之间的栅极区；多个沟道接入区，所述多个沟道接入区在所述半导体材料中，分别位于所述源极和所述栅极之间以及所述漏极和所述栅极之间；沟道，所述沟道在所述半导体材料中，具有在所述栅极区和在所述沟道接入区中的有效宽度；以及隔离区，所述隔离区在所述栅极区中，用于在基本上不降低所述沟道在所述接入区中的有效宽度的情况下降低所述沟道在所述栅极区中的有效宽度。
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