[发明专利]半导体装置

摘要

延长半导体装置或半导体存储装置中的数据保持期间。半导体装置或半导体存储器包含存储电路，该存储电路包含第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管包含第一半导体层及第一栅极，第二晶体管包含第二半导体层、第二栅极、及第三栅极。第一半导体层与包含第二栅极的层同時形成。

主权项

一种半导体装置，所述半导体装置包括存储电路，所述存储电路包括：第一晶体管；第二晶体管；第一层，所述第一层用作所述第二晶体管的沟道形成层；第二层，所述第二层使用与所述第一层相同的材料并与所述第一层同时形成，其中，所述第二层与所述第一层分开并用作所述第一晶体管的第一栅极；第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一层及所述第二层上；第一导电层，所述第一导电层与所述第一层重叠而以所述第一绝缘层设置在其间；半导体层，所述半导体层与所述第二层重叠而以所述第一绝缘层设置在其间；第二导电层，所述第二导电层电连接到所述半导体层；第三导电层，所述第三导电层电连接到所述第一导电层及所述半导体层；第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述半导体层、所述第二导电层、及所述第三导电层上；以及第四导电层，所述第四导电层与所述半导体层重叠而以所述第二绝缘层设置在其间，所述第四导电层用作所述第二晶体管的第二栅极。