[发明专利]二维光子晶体表面发射激光器有效
| 申请号： | 201180043757.3 | 申请日： | 2011-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103098321A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 长友靖浩;川岛祥一 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 杨小明 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供在包括活性层和设置在活性层附近的具有二维周期性折射率轮廓的二维光子晶体的二维光子晶体表面发射激光器中实现的、通过使用面内的初基矢量的长度不同的晶格结构的光子晶体使得能够容易地实现具有二维对称的强度分布的激光振荡的二维光子晶体表面发射激光器。二维光子晶体具有面内的两个初基矢量具有不同的长度的晶格结构，包含于晶格结构的单位单元中的形成晶格点的部件的形状关于两个初基矢量的方向具有各向异性，并且，部件的形状的各向异性允许耦合系数的差值比部件的形状具有各向同性的情况小。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 光子 晶体 表面 发射 激光器 | ||
【主权项】：
一种二维光子晶体表面发射激光器，所述二维光子晶体表面发射激光器包括活性层和设置在所述活性层附近的具有二维周期性折射率轮廓的二维光子晶体，其中，所述二维光子晶体具有面内的两个初基矢量具有不同的长度的晶格结构；包含于所述晶格结构的单位单元中的形成晶格点的部件的形状关于所述两个初基矢量的方向具有各向异性；以及形成晶格点的部件的形状的各向异性允许耦合系数的差值比形成晶格点的部件的形状具有各向同性的情况下小。
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- 轴谷直人;原坂和宏;菅原悟;佐藤俊一 - 株式会社理光
- 2011-01-10 - 2011-07-13 - H01S5/18
- 本发明公开了一种表面发射激光器元件、表面发射激光器阵列、光学扫描装置和成像设备。所述表面发射激光器元件包括发射激光束的发射区域和高反射率区域，该高反射率区域包括具有第一折射率的第一电介质膜和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二电介质膜，所述第一电介质膜和第二电介质膜叠置在所述发射区域内，以提供高反射率。在表面发射激光器元件中，所述高反射率区域形成在包括发射区域的中心部分的区域内，并且被构造成在平行于发射区域的平面内的两个正交方向上具有形状各向异性。
- 一种带有光子晶体结构的线阵式半导体激光器-201010537319.X
- 乔忠良;张斯钰;薄报学;高欣;李辉;王玉霞;李占国;芦鹏;王勇;李特;李再金;邹永刚;李林;刘国军 - 长春理工大学
- 2010-11-10 - 2011-04-13 - H01S5/18
- 本发明一种带有光子晶体结构的线阵式半导体激光器，属于半导体光电子器件技术领域。本发明利用二维光子晶体材料的特定结构对特定光场的选模特性及特定方向的光隔离等特点，用二维光子晶体结构代替传统线阵式半导体激光器光隔离结构，增加了线阵式半导体激光器的发光面积，提高了器件输出功率，提高了器件水平方向输出的光束质量和发光效率，降低了器件的串联电阻，改善了器件的热稳定性和输出特性。该技术方案适用于各种波长的线阵式大功率半导体激光器的制造。
- 具有单片集成光电二极管的垂直腔表面发射激光器件-200980116760.6
- P·H·格拉赫;R·金;M·F·C·谢曼 - 皇家飞利浦电子股份有限公司
- 2009-05-04 - 2011-04-13 - H01S5/18
- 本发明涉及一种包括VCSEL的垂直腔表面发射激光器件，该VCSEL具有单片集成光电二极管。该光电二极管(2)由半导体材料的第一n掺杂区(6)、p掺杂区(7)、本征区(8)和第二n掺杂区(9)的层序列形成。所述光电二极管(2)和所述激光器共享在所述第一n掺杂区(6)处实现为欧姆n接触(10)的公共电极。所提出的器件允许实现较不复杂的制造，导致较低的制造成本。
- 利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法-200910079801.0
- 宋国峰;张宇;汪卫敏;陈熙 - 中国科学院半导体研究所
- 2009-03-11 - 2010-09-15 - H01S5/18
- 一种利用纳米压印技术制备面发射表面等离子体激光器的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤1：在激光器的出光面上制作一层金属薄膜；步骤2：在金属薄膜上涂敷一层液态阻蚀剂；步骤3：把压印模板上的纳米图案压在液态阻蚀剂上；步骤4：采用压印技术，使液态阻蚀剂固化；步骤5：脱模，把纳米图案转移到阻蚀剂上；步骤6：等离子体刻蚀多余阻蚀剂，在金属薄膜表面形成由阻蚀剂构成的纳米图案；步骤7：反应离子刻蚀，把纳米图案转移到金属薄膜上；步骤8：去除剩余的阻蚀剂，完成制备。
- 氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法-200880108937.3
- 广山良治;三宅泰人;久纳康光;别所靖之;畑雅幸 - 三洋电机株式会社
- 2008-09-25 - 2010-08-18 - H01S5/18
- 本发明提供一种能抑制制造工艺复杂化且能抑制发光效率降低的氮化物类半导体发光元件。该氮化物类半导体发光元件(50)包括：氮化物类半导体元件层(23)，形成于基板(21)的由(1-100)面构成的主表面上，具有以(1-100)面为主面的发光层(26)；由(000-1)面构成的端面(50a)，形成于氮化物类半导体元件层(23)的包含发光层(26)的区域的端部，沿相对于发光层(26)的主面((1-100)面)大致垂直方向延伸；反射面(50c)，形成于与由(000-1)面构成的端面(50a)相对的区域，由氮化物类半导体元件层(23)的生长面构成，沿相对于端面(50a)倾斜角度θ1(约62°)的方向延伸。
- 面发光激光器及其制造方法-200910173255.7
- 井久田光弘 - 佳能株式会社
- 2009-09-22 - 2010-03-31 - H01S5/18
- 本发明提供可以抑制表面浮雕结构和电流狭窄结构在水平方向的偏离，提高对位精度，稳定获得单一横模式特性的面发光激光器及其制造方法。层叠了半导体层的面发光激光器，具有通过蚀刻上部反射镜的一部分而形成的第1蚀刻区域。另外，具有通过从第1蚀刻区域的底部蚀刻到用于形成电流狭窄结构的半导体层为止而形成的第2蚀刻区域。该第2蚀刻区域的深度比第1蚀刻区域的深度浅。
- 专利分类
