[发明专利]金属栅极场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110459664.0 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103187298A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种金属栅极场效应晶体管及其制作方法，所述制作方法包括：采用后栅工艺形成虚拟栅极；去除所述虚拟栅极以形成开口；在所述开口的侧壁和底部依次形成功函数金属材料层、金属阻挡层，所述功函数金属材料层、金属阻挡层未填满所述开口；源漏极上方形成接触孔的通孔；采用无极电镀的方式形成填充金属层，填满所述开口和所述接触孔的通孔。本发明利用无极电镀金属的方式来形成金属栅极的最后一层以及源漏区的接触孔，使得在金属栅极中的金属和接触孔这样的高深宽比的通孔内的金属质地致密均匀，且无空洞和裂缝；并且节省了工艺步骤，提高了工艺效率和节省了工艺成本；同时，本发明通过选择在接触孔内填充的金属来减少接触孔和漏极的寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 栅极 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种金属栅极场效应晶体管的制作方法，其特征在于，其采用后栅工艺形成虚拟栅极后，另包括：去除所述虚拟栅极以形成开口；在所述开口的侧壁和底部依次形成功函数金属材料层、金属阻挡层，所述功函数金属材料层、金属阻挡层未填满所述开口；在源漏极上方形成接触孔的通孔；采用无极电镀的方式形成填充金属层，填满所述开口和所述接触孔的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
